STPLED656

功能描述:MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 6A FET in TO-220

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:30 V

漏极连续电流:6 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):1.1 Ohms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220

封装:Tube

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